Rhannau Titaniwm Ar gyfer Lled-ddargludyddion

1. Rheolaeth rhyddhau amhuredd isel iawn

Rydym yn mabwysiadu cynllun prosesu o offer cerameg + haearn-offeryn rhad ac am ddim drwy gydol y broses gynhyrchu. Mae'r holl ddeunyddiau ategol sydd mewn cysylltiad â'r darn gwaith yn cael tair rownd o buro golchi asid, gan reoli'n llym gyfanswm cynnwys haearn, cromiwm, ac ati i fod o fewn 0.02%. Mae hyn yn llwyr osgoi'r broblem halogiad ïon metel cyffredin mewn prosesau lled-ddargludyddion ac yn atal ffurfio gweddillion metel gormodol ar wyneb y wafer. Mae'n lleihau'r risg o fyrhau cylched o'r ochr ddeunydd.

 

2. Gwrthiant cyrydiad hirdymor

Ar ôl y rhan yn cael ei ffurfio, bydd yn cael dau grynodiad gwahanol o drochi ateb oxidizing gwan ar gyfer passivation. Bydd ffilm amddiffynnol titaniwm deuocsid unffurf 8-10nm o drwch yn cael ei chynhyrchu ar yr wyneb. Hyd yn oed pan fydd yn agored i atebion cymysg asid hydrofluorig gwanedig ac asid nitrig yn y broses glanhau lled-ddargludyddion am 2000 awr yn barhaus, ni fydd unrhyw ddatodiad tyllu a dim malurion yn crafu wyneb y wafer.

 

3. Sefydlogrwydd dimensiwn uchel-fanwl

Yn ystod prosesu, mae'r broses gyfan yn defnyddio chwistrell hylif nitrogen ar gyfer rheoli tymheredd cyson, gan reoli'r anffurfiad a gynhyrchir wrth brosesu o fewn 0.003mm. Cyn gadael y ffatri, mae'r cynhyrchion gorffenedig yn cael profion beicio tymheredd uchel ac isel 24 awr. Hyd yn oed wrth weithredu mewn amgylchedd proses lled-ddargludyddion ar 180 gradd am amser hir, ni fydd unrhyw jamio anffurfiad a dim anffurfiad yn glynu. Nid oes angen dadosod ac addasu cywirdeb yr aliniad yn aml.

 

4. isel gwacáu cyfradd addas ar gyfer amgylchedd gwactod

Mae pob rhan yn destun pobi gwactod 120 gradd gyntaf am 48 awr ar gyfer triniaeth degassing. Mae'r anwedd dŵr a'r gronynnau bach sydd wedi'u harsugno ar yr wyneb yn cael eu tynnu'n llwyr. Ar ôl cael ei osod yn y siambr gwactod lled-ddargludyddion, gall helpu'r offer i gyrraedd y radd gwactod targed 25% yn gyflymach na defnyddio rhannau dur di-staen cyffredin, gan leihau'r golled amser o aros am bwmpio gwactod.

1. Hambwrdd wafer ar gyfer peiriant dyddodi anwedd PVD

Wedi'i ddefnyddio i gefnogi'r wafer silicon i gael ei orchuddio. Yn yr amgylchedd tymheredd uchel o sputtering deunydd targed, ni fydd y rhan titaniwm yn adweithio â'r nwy sputtering ac ni fydd yn rhyddhau amhureddau gormodol i'r siambr, a all wella unffurfiaeth yr haen ffilm fetel a adneuwyd ar wyneb y wafer gan 5%, gan osgoi'r broblem o ollwng sglodion a achosir gan drwch haen metel annigonol. Mae'n addas ar gyfer gofynion cynhyrchu cotio o brosesau 28nm ac is.

 

2. rac cludwr wafer ar gyfer peiriant glanhau gwlyb

Yn y broses lanhau safonol RCA, mae'r rac wedi'i drochi'n llawn mewn atebion glanhau asid cryf ac alcali cryf. Ni fydd y deunydd titaniwm yn cael ei gyrydu ac yn cynhyrchu malurion, ac ni fydd yn cadw at wyneb y wafer i achosi halogiad gronynnau. Gall leihau cyfradd diffygion gronynnau glanhau wafferi swp sengl o 12%. Ar yr un pryd, gall nodwedd ysgafn y rac hefyd leihau llwyth trosglwyddo'r peiriant glanhau a lleihau'r defnydd o ynni offer.

 

3. Sedd gosod electrod ar gyfer peiriant mewnblannu ïon

Fe'i defnyddir i drwsio'r electrodau foltedd uchel yn y peiriant. Ni fydd eiddo anfagnetig titaniwm yn ymyrryd â thrywydd y trawst ïon, gan ganiatáu i wyriad dyfnder y mewnblaniad ïon gael ei reoli o fewn ystod fach iawn, gan osgoi problem dos pigiad anwastad yn ardal leol y wafer. Mae'n gwella'n sylweddol gysondeb perfformiad trydanol y sglodion.

 

4. fflans cysylltydd ar gyfer piblinell gwactod lled-ddargludyddion

Cysylltu gwahanol adrannau o bibell gwactod y peiriant. Gall y gyfradd wacáu isel o ditaniwm gynnal amgylchedd gwactod glân uchel y tu mewn i'r biblinell ac ni fydd yn achosi amrywiadau mewn gradd gwactod oherwydd bod fflansau dur di-staen cyffredin yn rhyddhau nwy ar ôl-defnyddio hirdymor. Mae'n lleihau nifer y larymau diffodd peiriannau sy'n cael eu hysgogi gan annormaleddau gwactod ac yn cynyddu amser gweithredu parhaus y llinell gynhyrchu 30%.

1. Addasu dimensiynau ansafonol

Gan ddibynnu ar ein canolfan peiriannu 5-echel ein hunain, gellir addasu hyd, lled ac uchder y rhannau yn ôl gofod gosod offer lled-ddargludyddion presennol y cwsmer. Nid oes angen i'r cwsmer addasu'r rhyngwyneb offer, a gellir cyflwyno'r sampl gyntaf o fewn 7 diwrnod.

 

2. addasu cyflwr wyneb

Gellir dewis dau ddull trin wyneb yn ôl y galw: caboli drych a sgwrio â thywod matte. Maent yn addas ar gyfer gwahanol ofynion glendid y broses weithgynhyrchu a gallant osgoi adlyniad gronynnau sy'n effeithio ar yr amgylchedd cynhyrchu lled-ddargludyddion.

 

3. addasu rhyngwynebau arbennig

Gellir addasu strwythurau arbennig megis slotiau cerdyn arbennig a thyllau lleoli i gyd-fynd yn llawn â gofynion cydosod offer -datblygedig y cwsmer ei hun. Nid oes angen ychwanegu unrhyw gydrannau addasydd ychwanegol.

Eitem	Manyleb
Enw Cynnyrch	Rhannau Titaniwm ar gyfer Lled-ddargludyddion
Deunydd	Titaniwm Pur (Gradd 2), Aloi Titaniwm (Gradd 5 Ti-6Al-4V)
Proses Gweithgynhyrchu	Peiriannu CNC, Troi, Melino, Malu, Weldio
Siapiau sydd ar Gael	Plât, Modrwy, Tiwb, Gwialen, Bloc, Rhannau Custom
Dimensiynau	Wedi'i addasu yn ôl lluniadau neu samplau
Goddefgarwch	Hyd at ±0.01 mm
Gorffen Arwyneb	Wedi'i sgleinio, wedi'i sgwrio â thywod, wedi'i biclo, wedi'i anodeiddio, wedi'i beiriannu'n fanwl
Garwedd Arwyneb	Ra 0.2–1.6 μm (Ar Gael Cwsmer)
Purdeb	Hyd at 99.6% (Gradd 2 Titaniwm)
Tymheredd Gweithredu	Hyd at 400 gradd
Dwysedd	4.51 g / cm³
Caledwch	Gradd 2: HB 145–200; Gradd 5: HRC 30–36
Gwrthsefyll Cyrydiad	Gwrthwynebiad rhagorol i asidau, alcalïau, a chemegau proses
Cydnawsedd Cemegol	Yn addas ar gyfer cemegau lled-ddargludyddion ac amgylcheddau purdeb hynod -
Arolygiad	Arolygiad Dimensiynol, Ardystio Deunydd, Archwiliad Arwyneb

 

 

 

Tagiau poblogaidd: rhannau titaniwm ar gyfer lled-ddargludyddion, Tsieina titaniwm rhannau ar gyfer lled-ddargludyddion gweithgynhyrchwyr, cyflenwyr, ffatri